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| 圖片 | 制造商，型號(hào) # | 庫(kù)存 | 價(jià)格 | 數(shù)量 | 數(shù)據(jù)表 | Packaging | Series | ProductStatus | Type | Applications | MountingType |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SAB82538H-10V3.1ASAB82538 - HSCX HIGH-LEVEL SERI |
3096 | 1.00 |
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|
IPA60R380P6600V COOLMOS POWER TRANSISTOR |
313 | 0.97 |
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Datasheet |
Bulk | * | Active | - | - | - |
|
|
SP000685844IPP60R125C6XKSA1 - COOLMOS N-CHA |
3458 | 1.00 |
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|
IPD80R900P7POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR |
2828 | 1.00 |
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|
|
BGA6H1C6E6327XUSA1BGA6H1C6 - CUSTOMER SPECIAL |
3388 | 1.00 |
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BGS17MC222IE6433XUSA1BGS17MC222 - CUSTOMER SPECIAL |
3015 | 1.00 |
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|
|
IPL65R190E6AUMA1938IPL65R190 - 650V AND 700V COOLMO |
3262 | 1.00 |
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|
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FD200R12KE3S1HOSA1FD200R12KE3 - IGBT MODULE |
2223 | 1.00 |
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|
|
IPW65R190C7IPW65R190 - 650V AND 700V COOLMO |
2754 | 1.00 |
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|
IRFH8202TRPBFTRIRFH8202 - 12V-300V N-CHANNEL PO |
3258 | 1.00 |
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IPA60R080P7POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR |
2595 | 1.00 |
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|
TLE493D-A1B6TLE493 - 3D MAGNETICS |
3130 | 1.00 |
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IPD80R4K5P7POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR |
2022 | 1.00 |
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|
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FF1000R17IE4S2BOSA1FF1000R17 - IGBT MODULE |
3537 | 1.00 |
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IPP60R360P7POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 |
3114 | 1.00 |
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SAK-TC1793S512F270EFABKXUMA2RISC FLASH MICROCONTROLLER, 32-B |
2879 | 1.00 |
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IPW60R190E6600V, 0.19OHM, N-CHANNEL MOSFET |
3776 | 0.00 |
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IPP60R280P6POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR |
2425 | 1.00 |
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|
BCR116E6393SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR |
3092 | 1.00 |
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SAF-XC2268M72F66LAAFXUMA116-BIT C166 MICROCONTROLLER - XC |
3846 | 1.00 |
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